(16)--3.3 绝缘栅型场效应管（美化后）.pptVIP

绝缘栅型场效应管

N沟道增强型MOS管

N沟道耗尽型MOS管

绝缘栅型场效应管的分类

绝缘栅型场效应管的分类

由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称MOS场效应管。

特点：输入电阻可达1010以上。

类型

N沟道

P沟道

增强型

耗尽型

增强型

耗尽型

耗尽型：UGS=0时漏源间存在导电沟道

增强型：UGS=0时漏源间不存在导电沟道

N沟道增强型MOS管

结构

B

G

S

D

源极S

漏极D

衬底引线B

栅极G

图1N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图

1.工作原理

绝缘栅场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流ID。

2.工作原理分析

(1)UGS=0

漏源极之间没有导电沟道，所以不导电。

讨论如何用UGS来控制ID

(2)UDS=0，0UGSUGS(th)

栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近SiO2一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。

VGG

(3)UDS=0，UGS≥UGS(th)

吸引了足够多P型衬底的电子，

形成N型导电沟道——反型层

UGS(th)或UT称为开启电压。

UGS升高，N沟道变宽。

(4)UDS对导电沟道的影响(UGSUT)

导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流ID。

b.UDS=UGS–UT，UGD=UT

靠近漏极沟道达到临界开启状态，出现预夹断。

c.UDSUGS–UT，UGDUT

由于夹断区的沟道电阻很大，UDS逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变，iD基本不变。可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。

a.UDSUGS–UT，即UGD=UGS–UDSUT

3.特性曲线与电流方程

(a)转移特性

UGSUT，iD=0；

UGS≥UT，形成导电沟道，随着UGS的增加，ID逐渐增大。

图(a)

(b)输出特性

三个区：夹断区、可变电阻区、恒流区(或饱和区)

图(b)

N沟道耗尽型MOS管

制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在P型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使UGS=0也会形成N型导电沟道。

++++++

++++++

UGS=0，UDS0，产生较大的漏极电流；

UGS0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD减小；

UGS=UP,感应电荷被“耗尽”，iD0。

UP或UGS(off)称为夹断电压

N沟道耗尽型MOS管特性

工作条件：

UDS0；

UGS正、负、零均可。

耗尽型MOS管的符号