(3)--1.3晶体三极管模拟电子技术基础.pptVIP

1.3晶体三极管

1.3晶体三极管1.3.1晶体管的结构和符号

1.3晶体三极管1.3.1晶体管的结构和符号1.3.2晶体管的放大原理

1.3晶体三极管1.3.1晶体管的结构和符号1.3.2晶体管的放大原理1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性

1.3晶体三极管1.3.1晶体管的结构和符号1.3.2晶体管的放大原理1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性1.3.4主要参数

1.3晶体三极管1.3.1晶体管的结构和符号1.3.2晶体管的放大原理1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性1.3.5温度对晶体管特性的影响1.3.4主要参数

1.3.1晶体管的结构和符号

1.3.1晶体管的结构和符号小功率管

1.3.1晶体管的结构和符号小功率管中功率管

1.3.1晶体管的结构和符号小功率管大功率管中功率管

1.3.1晶体管的结构和符号小功率管大功率管中功率管

1.3.1晶体管的结构和符号

1.3.1晶体管的结构和符号多子浓度很低，且很薄

1.3.1晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且很薄

1.3.1晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大

1.3.1晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。

1.3.2晶体管的电流放大

1.3.2晶体管的电流放大电流分配：IE＝IB＋IC

1.3.2晶体管的电流放大电流分配：IE＝IB＋IC

1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性

1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性1.输入特性

1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性1.输入特性

1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性为什么像PN结的伏安特性？1.输入特性

1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性？1.输入特性

2.输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性

2.输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性

2.输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。饱和区1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性

2.输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。饱和区放大区1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性

2.输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。饱和区放大区截止区1.3.3晶体管的共射输入特性和输出特性

1.3.4主要参数直流参数：、、ICBO、ICEO

1.3.4主要参数直流参数：、、ICBO、ICEO交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）

1.3.4主要参数直流参数：、、ICBO、ICEO最大集电极电流交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO

1.3.4主要参数直流参数：、、ICBO、ICEO最大集电极电流最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO

1.3.4主要参数直流参数：、、ICBO、ICEOc-e间击穿电压最大集电极电流最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO

1.3.4主要参数直流参数：、、ICBO、ICEO安全工作区交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO

1.3.5温度对晶体管特性的影响