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- 2024-02-27 发布于广东
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室温下，硅材料内的电子迁移率为空穴迁移率的3倍。
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,
分别形成N型半导体和P型半导体。
由于缺少多子，所以也称耗尽层
在P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
在N型半导体和P型半导体的结合面上:
因浓度差→多子的扩散运动→形成空间电荷区
↓
形成内电场
↓
↓
促使少子漂移
阻止多子扩散
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。
室温下，硅材料内的电子迁移率为空穴迁移率的3倍。
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,
分别形成N型半导体和P型半导体。
由于缺少多子，所以也称耗尽层
在P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
在N型半导体和P型半导体的结合面上:
因浓度差→多子的扩散运动→形成空间电荷区
↓
形成内电场
↓
↓
促使少子漂移
阻止多子扩散
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。
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