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本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577524A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311626120.8(51)Int.Cl.
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