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本发明涉及绝缘栅双极型场效应晶体管技术领域，具体说是一种具有多有效栅的IGBT结构。它包括具有第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中依次平行布置有不少于两个条形的沟槽栅，相连两个沟槽栅间有发射极结构。其特点是，沟槽栅均为有效栅极，沟槽栅分为沟槽栅A和沟槽栅B，沟槽栅A与沟槽栅B间呈间隔布置。在IGBT结构的有源区正面上有栅极A总线和栅极B总线，栅极A总线和栅极B总线不相连，栅极A总线内有栅极A键合区，栅极B总线内有栅极B键合区，沟槽栅A均与栅极A总线相连，沟槽
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577672A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311632976.6
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人江苏易矽科技有限公司
地址21
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