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射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其性能研究的中期报告

[中期报告]

1.研究背景

ZincOxide(ZnO)薄膜在很多领域都拥有广泛的应用，例如光电器件、传感器、太阳能电池等等。其物理性质如磁性、光学性质等也受到了广泛的关注。因此，研究使用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜并对其进行性能研究具有重要意义。

2.实验设计

（1）材料制备：使用射频磁控溅射法制备纯ZnO薄膜。采用直径为2英寸、厚度为500微米的硅片作为衬底，将其放置在溅射室中，目标材料为纯度为99.99%的ZnO，辅助气体为氧气。

（2）实验参数：调节氩气与氧气的流量、工作压力、溅射功率等参数，控制溅射时间，得到不同厚度的ZnO薄膜。在制备过程中，通过测量基片表面温度、溅射气体压强等实验参数来控制实验条件，并利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、光学测量等手段对样品进行表征。

3.实验结果与分析

（1）XRD结果：通过XRD测量分析得到ZnO薄膜具有均匀的晶体结构，展现出典型的六方晶系ZnO特征峰。然而，随着厚度的增加，随机取向的比例也随之增加。

（2）FESEM结果：薄膜表面较为平整，但随着厚度增加，表面开始出现颗粒状结构，且颗粒的大小也随之增加。

（3）XPS结果：XPS分析结果表明，样品表面存在