集成电路设计（第3版）全套PPT课件.pptx

集成电路设计2013年2013/3/28目录第1章集成电路设计概述第2章IC制造材料、结构与理论第3章IC基本工艺第4章集成电路器件工艺第5章MOS场效应管特性第6章集成电路器件及SPICE模型第7章SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法第8章集成电路版图设计与工具第9章模拟集成电路基本单元第10章数字集成电路基本单元与版图第11章集成电路数字系统设计基础第12章集成电路的测试和封装 IC设计的基础知识2第一章集成电路设计概述1.1集成电路的发展1.2集成电路设计流程及设计环境1.3集成电路制造途径1.4集成电路设计知识范围3认识晶圆和集成电路4裸片5键合(连接到封装的引脚)6封装，成品7应用 81.1集成电路的发展1.2集成电路设计流程及设计环境1.3集成电路制造途径1.4集成电路设计知识范围91.1集成电路的发展图1.1最原始的点接触式晶体管?1947年12月16日,美国贝尔实验室(Bell-Lab),WilliamShockley领导的研究小组发现了晶体管效应。?1948年6月向全世界公布。?1956年，W.Shockley,JohnBardeen,WalterBrattain获诺贝尔物理奖,‘fortheirresearchesonsemiconductorsandtheirdiscoveryofthetransistoreffect’10硅时代的飞跃—集成电路的诞生Fig1.2JackKilby’sfirstIntegratedCircuits(IC)oftheworld11表1.1集成电路工艺、电路规模和产品的发展概况12年份194719501961196619711980199020002003工艺晶体管分立元件SSIMSILSIVLSIULSIGSISOC产品芯片上大约晶体管数目1110100-1K1K-20K20K-1M1M-10M10M50M典型产品结型晶体管结型晶体管和二极管平面器件,逻辑门,触发器计数器,复接器,加法器8位微处理器,ROMRAM16位32位微处理器,复杂外围电路专用处理器,虚拟现实机,灵巧传感器P-IIIP-IV,手机芯片等摩尔定律(Moore’sLaw)?Mooreslaw:thenumberofcomponentsperICdoublesevery18months.?Mooreslawholdtothisday.Intel的CPU验证摩尔定律14Fig1.4Intel4004Micro-Processor?by1971the4004thefirst4-bitmicroprocessorwasinproduction.The4004wasa3chipsetwitha2kbitROMchip,a320bitRAMchipandthe4bitprocessoreachhousedina16pinDIPpackage.The4004processorrequiredroughly2,300transistorstoimplement,usedasilicongatePMOSprocesswith10μmlinewidths,hada108kHzclockspeedandadiesizeof13.5mm2.15Fig1.5IntelPentium(II)---19970.35μmCMOSdiesize:209mm216表1.280年代以后—DRAM的发展17时间容量面积工艺价格1982256K45mm22P2umNMOS$5119861M75mm23P1.2umCMOS95mm23P2M0.8umCMOS$124199116M130mm24P2M0.5umCMOS$275199464M170mm25P3M0.35umCMOS$5751998256M204mm25P3M0.25umCMOS12英寸(300mm)0.09微米是目前量产最先进的CMOS工艺线18关心工艺线集成电路技术发展趋势1)特征尺寸：微米亚微米深亚微米，目前的主流工艺是0.35、0.25和0.18μm，0.15和0.13μm已开始走向规模化生产；2)电路规模：SSISOC；3）晶圆的尺寸增加,当