原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，半导体器件结构包括：设于衬底的正面表面上，并位于有源区中的第一栅极；位于所述有源区中的所述衬底的正面表面上，并埋设于所述衬底中的两个并列的埋层导电结构，所述埋层导电结构穿过所述衬底的正面表面，与所述第一栅极连接；自所述衬底的背面表面进入所述衬底中，并连接所述埋层导电结构的导电通孔。本发明形成的导电通孔与第一栅极直连，减小了互连电阻，且无需占用有源区中器件的面积，留出了更多的空间，可大幅提高集成密度，并可明显降低工艺难度，从而更有利于器件设计。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577609A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311629467.8
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人上海微阱电子科技有限公司
地址
文档评论（0）