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2024-02-21 发布于四川
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一种高频DEMOS器件及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种高频DEMOS器件及其制作方法。本发明中的高频DEMOS器件，包括硅衬底、阱区、源区、漏区、轻掺杂区和栅极结构。所述的栅极结构包括主栅极结构和从栅极结构，主栅极结构位于阱区的p或n型阱之上，用于接收输入信号；从栅极结构覆盖部分p型或n型阱和部分漂移区，用于接收固定偏压。由于本发明DEMOS的主栅极栅长远小于传统DEMOS器件的栅长，因而本发明器件的栅漏电容大幅减小，最大截止频率大幅上升，从而器件的高频性能得到了显著提高；与此同时，由于从栅极栅长较长且用来接收固定偏压，因而对器件的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117577666A

(43)申请公布日2024.02.20

(21)申请号202311556395.9H01L29/78(2006.01)

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