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一种检测半导体工艺腔室气密性的方法包括下列步骤：提供一片衬底,衬底形成氧化层；量测氧化层的厚度,得到第一厚度值；将衬底放置于待量测其气密性的腔室内；在对腔室提供惰性气体且不提供氧气的条件下,在既定的第一时间内进行使衬底的温度升高至操作温度的制程；从腔室取出进行制程后的衬底；在既定的第二时间内量测进行制程后的衬底的氧化层的厚度,得到第二厚度值；比对第一厚度值与第二厚度值,如果第二厚度值大于述第一厚度值,则判断腔室有环境气体进入。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117571204A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311501146.X
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人杭州富芯半导体有限公司
地址3
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