团标《晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备》.docxVIP

Q/LB.□XXXXX-XXXX

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ICS

FORMTEXT27.160

CCS

FORMTEXTL95

团体标准

T/CPIAFORMTEXTXXXX—202X

FORMTEXT?????

FORMTEXT晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备

FORMTEXTLowpressurechemicalvapordepositionequipmentusedforcrystallinesiliconphotovoltaiccells

（报批稿）

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FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXT中国光伏行业协会??发布

STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备

范围

本文件规定了晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备（以下简称“LPCVD设备”）的术语和定义、工作环境、技术要求、基本性能、检验方法、交付检验以及标志、包装、搬运和运输、贮存。

本文件适用于晶体硅光伏电池用管式LPCVD设备的生产及检验。其他类型LPCVD设备可参考使用。LPCVD设备可进行隧穿氧化层、本征多晶硅（Poly-Si）层、原位掺杂多晶硅（Poly-Si）层等的工艺制备。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2297太阳光伏能源系统术语

GB2894—2008安全标志及其使用导则

GB/T5080.7设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案

GB/T5226.1—2019机械电气安全机械电气设备第1部分:通用技术条件

GB/T6388运输包装收发货标志

GB/T11164—2011真空镀膜设备通用技术条件

GB/T13306标牌

GB/T13384机电产品包装通用技术条件

GB/T25915.1—2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

GB/T30116半导体生产设备电磁兼容性要求

GB51401电子工业废气处理工程设计标准

CB/T3764—1996金属镀层和化学覆盖层厚度系列及质量要求

SJ/T10674—1995涂料涂覆通用技术条件

SJ20984—2008化学气相淀积设备通用规范

TSGD0001—2009压力管道安全技术监察规程工业管道

TSG21—2016固定式压力容器安全技术监察规程

SEMIS6半导体制造设备排气通风环境、健康和安全导则（Environmental，Health，andSafetyGuidelineforExhaustVentilationofSemiconductorManufacturingEquipment）

术语和定义

GB/T2297界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

低压化学气相淀积法lowpressurechemicalvapordeposition；LPCVD

在低于一个大气压的条件下进行的化学气相沉积方法。

广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅淀积，在高温炉管中实施工艺制备。

[来源：GB/T2297—1989，6.2，有修改]

隧穿氧化层tunneloxidelayer

TOPCon电池表面有隧穿现象的超薄氧化层。

工作环境

管式LPCVD设备的工作环境及厂务应满足以下要求：

环境温度：5℃～40℃；

相对湿度：不大于70％RH；

环境净化等级：应符合GB/T25915.1—2010规定的ISO7级或优于ISO7级；

大气压强：86kPa～106kPa；

电源：三相五线交流380(1±10％)V，频率50(1±1％)Hz；电网波动不超过±10％；

冷却水：采用纯水或软化水，压力0.3MPa～0.6MPa，进出水压差不小于0.2MPa，进水温度20℃±3℃；

工艺气体压力：氧气及氮气：0.4MPa～0.6MPa，硅烷及磷烷：0.25MPa～0.4MPa；

压缩空气压力：0.4MPa