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4H-SiCPiN功率二极管研制及其关键技术研究

引言

近年来，功率半导体器件在电力电子领域的应用越来越广泛。功率二极管作为重要的功率器件之一，在高电压、高温条件下具有较低的导通压降和快速的开关速度，得到了广泛关注。4H-SiC（4H-碳化硅）PiN（P型掺杂-内建势）功率二极管具备了更高的击穿电压、更低的导通压降和更好的热稳定性，被认为是下一代高功率电子设备的理想选择。

一、4H-SiC材料特性

4H-碳化硅（SiC）以其出色的材料特性在功率电子器件领域备受瞩目。相比于硅材料，4H-SiC具有更大的击穿电场强度和更高的热导率，能够在更高的电压、电流密度和温度下工作。此外，