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2024-02-24 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供第一基底，包括若干有源区；提供第二基底，具有相对的第一面与第二面；在第一面上形成晶体管，晶体管包括：位于第一面上的集电层、位于集电层上的基层以及位于基层上的发射层，集电层、基层以及发射层的材料与第一基底的材料不同；去除第二基底；将晶体管与第一基底进行第一接合处理，第一接合处理后的晶体管位于有源区。一方面，在第二基底上形成晶体管再将晶体管转至第一基底，避免了第一基底与第二基底的尺寸不匹配，导致转移后的晶体管外延层的边缘超出第一基底，而无法对外延层进行刻蚀的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594442A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202410076500.7

(22)申请日2024.01.18

(71)申请人常州承芯半导体有限公司

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