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本发明公开了一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，包括以下步骤：步骤1、将铝合金粗加工产，判断腔体表面是否需要保留加工纹理，若是，则进入步骤8，若否，则进入步骤2；步骤2、使用砂纸对腔体表面进行第一次打；步骤3、清洗打磨残留在腔体表面的粉尘；步骤4、对腔体表面进行第二次打磨；步骤5、清洗打磨残留在腔体表面的粉尘；步骤6、对腔体表面进行第三次打磨；步骤7、清洗腔体表；步骤8、对腔体表面进行抛光；步骤9、对腔体表面进一步抛光；步骤10、清水冲洗腔体表面；步骤11、采用弱碱性清洗剂清洗腔体表。本发明的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117583956A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311461981.5
(22)申请日2023.11.06
(71)申请人无锡先研新材科技有限公司
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