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本发明涉及一种双面Topcon电池的制备方法，包括：对N型硅片进行预处理；硅片背面依次沉积第一隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和第一掩膜层；清洗并制绒；正面沉积第二隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层和第二掩膜层，并退火；在正面第二掩膜层远离磷掺杂多晶硅层一侧的局部沉积第三掩膜层；清洗，清洗后保留正面局域第二隧穿氧化层，且位于正面局域第二隧穿氧化层远离硅片正面一侧的磷掺杂多晶硅层保留部分，形成正面局部磷掺杂多晶硅层；沉积正面钝化减反层；沉积背面钝化层；分别在硅片正面与背面制备正电极和背电极。本发明的方法，能保护
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594704A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311835138.9
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人韩华新能源（启东）有限公司
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