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- 2024-02-24 发布于四川
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本申请公开了一种多管SiC并联器件结温预测方法及装置，方法包括：考虑焊料层热阻、导热材料热阻和不同器件之间的辐射热耦合的影响模拟多管SiC并联器件的热传递过程，得交叉耦合热网络模型；采用预设神经网络模型根据结温降温曲线预测多维热阻抗参数，得交叉耦合热阻抗矩阵；根据器件损耗、器件表面温度和耦合等效热阻抗计算器件当前结温；基于交叉耦合热网络模型根据当前结温对交叉耦合热阻抗矩阵进行更新，得更新热阻抗矩阵；根据更新热阻抗矩阵预测多管SiC并联器件中每个器件的结温，得到芯片结温。本申请能解决现有技术并未综
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117592369A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311602331.8G06F17/16(2006.01)
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