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本发明提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构，包括：依次层叠设置的衬底、第一欧姆金属层、第一电极、第一反射层、有源层、氧化层、第二反射层、第二欧姆金属层和第二电极；所述第一欧姆金属层包括多个连接部和延伸部，所述连接部和所述延伸部为一体结构；所述延伸部沿第一方向和/或第二方向延伸分布；在所述发光区域内，最外围的所述光学孔径至少与一所述延伸部相邻。本发明提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构，提高了靠近隔离沟槽位置的欧姆接触面积，提高了载流子浓度进而提高了光学孔径的发光功率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117595062A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311373320.7
(22)申请日2023.10.20
(71)申请人常州纵慧芯光半导体科技有限公司
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