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2024-02-24 发布于四川
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一种肖特基二极管的检测方法.pdf

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本发明属于半导体集成电路器件制造领域，具体的说是一种肖特基二极管的制备方法；首先选取晶圆作为衬底；然后在所述晶圆底衬上生长基座层；之后在所述基座层上表面沉淀分隔层；在之后在分隔表面进行刻蚀；最后使用PVD溅镀法生长氮化钛金属层，生长完成再经过封装后，使用检测装置进产品的良品检测；所述检测装置包括：外壳；所述外壳内滑动连接有托盘；所述托盘延伸出外壳的一侧表面固连有把手；所述托盘的上表面固连有检测台；通过本制备方法制备出的肖特基二极管，降低了金属电镀层所受的损伤，进而提高了金属‑半导体结处金属层的质

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115223856A

(43)申请公布日2022.10.21

(21)申请号202210788711.4C23C14/06(2006.01)

(22)申请日2022.07.

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