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2024-02-24 发布于四川
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本发明提供一种半导体集成芯片及其制作方法，半导体集成芯片包括衬底，衬底具有元胞区和终端区，元胞区设置有待检测IGBT管和检测IGBT管，终端区设置有二极管、电阻和MOS管；本发明通过在所述终端区设置二极管和电阻，以在半导体集成芯片上单片集成过电流保护电路，可以提高芯片集成度，并减少了PCB板的占用面积，还实现短路保护功能(即过电流保护功能)，以减小了短路时所述待检测IGBT管的饱和电流，并避免了所述待检测IGBT管由于过高电流导致热损害，即降低了击穿所述待检测IGBT管的风险，还减少了延时。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594592A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202311760751.9

(22)申请日2023.12.20

(71)申请人芯联先锋集成电路

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