- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开涉及半导体装置和使用重分布层形成封装内模块结构的方法。半导体装置具有第一半导体封装、第二半导体封装和RDL。第一半导体封装被安放在RDL的第一表面上,并且第二半导体封装被安放在与RDL的第一表面相对的RDL的第二表面上。载体最初被安放在RDL的第二表面上,并且在将第一半导体封装安放在RDL的第一表面上之后被去除。第一半导体封装具有:基底;多个导电支柱,被形成在基底上;电气部件,被安放在基底上;和包封剂,被沉积在导电支柱和电气部件周围。屏蔽框架能够被安放在电气部件周围。天线能够被安放在第一半
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594568A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310770252.1
(22)申请日2023.06.27
(30)优先权数据
17/8205022022.
文档评论(0)