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本实用新型公开了一种非易失存储器及其存储单元擦写电压电路，包括恒流源、基础电压电路、击穿电路以及多个小电压叠加电路，在需要擦写存储单元时，目标电压并非直接上升到最大值，而是先利用击穿电路使得目标电压首先达到击穿值使得隧道区被击穿，电子向浮栅迁移，然后利用多个小电压叠加电路逐个产生第二预设电压叠加到目标电压上使得目标电压自击穿值开始按照固定斜率逐步上升到最大值，如此，可以使得浮栅与漏端之间的压差始终维持在一个较小的值，从而降低了穿过隧道区的载流子的能量，减小了其与SiO2内部晶格发生碰撞的几率，增
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220526591U
(45)授权公告日2024.02.23
(21)申请号202321301462.8
(22)申请日2023.05.25
(73)专利权人辉芒微电子（深圳）股份有限公司
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