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本发明提供一种深紫外LED外延片及其外延生长方法，上述外延生长方法在电子阻挡层生长完成后，首先在电子阻挡层上外延生长Mg掺杂的AlGaN层，其次在氮气和氧气的混合气氛下，对AlGaN层进行退火处理，以使AlGaN层中的Mg杂质与游离氢原子形成的化学键断开，从而使Mg杂质激活以产生空穴，最后通过在AlGaN层上外延生长MgN层，以使MgN层中的Mg与游离氢原子重新结合，进而减少了AlGaN层中的Mg杂质与游离氢原子结合，进一步提高了空穴注入层中Mg的激活效率，更进一步提高了空穴注入层的空穴浓度，最
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594712A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311448238.6C30B25/14(2006.01)
(22)申请日2023.11.
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