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本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种快恢复二极管的锰掺杂方法及快恢复二极管，其中方法包括：S1.获得N型重掺杂硅衬底；S2.在N型重掺杂硅衬底上生长N型轻掺杂外延层；S3.在N型轻掺杂外延层上生长氧化掩蔽层；在氧化掩蔽层上通过光刻、刻蚀工艺开设窗口，并注入硼离子，退火后形成主结和场限环；S4.在步骤S3所得制品上淀积多晶硅层，通过光刻刻蚀得到多晶硅场板；S5.对N型重掺杂硅衬底进行背面减薄后，将锰离子从背面注入并退火；S6.在步骤S5所得制品的正反面均淀积金属电极；其中正面金属电极位于主结的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594438A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311573735.9
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人扬州国宇电子有限公司
地址22
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