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本发明提供了一种新型绝缘体上硅晶圆及其制备方法。本发明的新型绝缘体上硅晶圆的制备方法，包括如下步骤：S1：在硅晶圆上制备TRL或多孔硅并注氢，形成注氢硅晶圆；S2：在衬底上生长SiO2作为BOX2，将注氢硅晶圆翻转与BOX2低温键合；S3：高温剥离后在TRL或多孔硅上生长SiO2作为BOX1；S4：向硅晶圆中注氢，随后翻转与BOX1低温键合，高温剥离后形成SOI，制得新型绝缘体上硅晶圆。本发明的新型绝缘体上硅晶圆具有更低的背栅漏电能力。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594522A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311799582.X
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人中国科学院微电子研究所
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