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IGBT技术在UPS设备中的应用

摘要IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），中文名称为：绝缘栅极型功率管。它和传统的晶闸管等器件相比，虽然在电路中起到的作用大致相同，但IGBT的核心优势在于，它的驱动功率小、饱和压降低、开关频率极高，这些都是各应用领域所迫切需求的。随着IGBT技术的日趋成熟，越来越多的UPS产品采用了基于PFC技术的IGBT高频整流技术，整机实现了全数字化DSP控制。与传统的12脉冲机型相比，采用IGBT整流技术的UPS机型具有运行成本低廉、输入特性稳定、优化电网参数、便于设备小型化等优点。

关键词IGBT技术；UPS设备；应用

1IGBT技术的基本原理

IGBT实际上是由垂直功率金属—氧化层半导体场效晶体管进化、发展而来的一种产物。众所周知，在电路中实现一个较高的击穿电压时需要一个源漏通道，而且这个通道需要具有很高等级的电阻率才能实现，因而造成了以往的金属—氧化层半导体场效晶体管具有RDS(on)数值高的特征，IGBT很好的消除了现有功率场效晶体管的这些弱点。尽管经过技术改良的功率场效晶体管在很大程度上改进了RDS(on)特性，但是其功率导通损耗等参数仍然要比采用IGBT技术的元件高出很多。

2IGBT技术的进化与发展

上世纪70年代末，金属—氧化层半导体栅功率开关器件问世，它通常被看做是IGBT的先驱。虽然这