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用于筛选的VDMOS器件抗辐照能力表征参量研究的中期报告
中期报告：
1.研究背景和目的：
随着航空航天、核电站等领域对高可靠性电子器件的需求增加，对电子器件抗辐照能力的要求也变得越来越严格。VDMOS器件作为常见的功率MOSFET器件，在高温、高压等特殊环境下使用广泛，其抗辐照能力的研究具有重要意义。因此，本研究旨在探究用于筛选的VDMOS器件抗辐照能力表征参量，为提高VDMOS器件的抗辐照能力提供理论指导。
2.研究内容：
本研究首先对VDMOS器件在辐照后的性能参数进行测试，并分析不同参数之间的关系。接着，在辐照前后对VDMOS器件的元器件参数进行对比和分析，以探究其抗辐照能力的表征参量。最后，针对所选取的表征参量，进行可靠性测试，以验证其在筛选VDMOS器件中的有效性。
3.研究方法：
本研究主要采用实验方法和模拟计算相结合的方式进行。实验部分，使用先进的辐照设备对VDMOS器件进行辐照处理，测试器件在各项参数方面的性能变化。模拟部分，通过搭建VDMOS器件的模型，进行不同参数的仿真计算，探究VDMOS器件表征参量的优劣及其对应的可靠性指标。
4.进度和计划：
目前，已完成VDMOS器件的元器件参数测试及比对分析，并初步确定了用于表征其抗辐照能力的参量。下一步，将采用模拟方法对这些参量进行评估和验证，同时对比不同参量的可靠性指标，选择出最佳的表征参量。最终，将在不同辐照条件下，对所选取的表征参量进行可靠性测试，验证其在筛选VDMOS器件中的实用性和有效性。完成整个研究计划预计需要3个月的时间。
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