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一种半导体存储单元及其阵列结构.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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一种半导体存储单元及其阵列结构.pdf

    本发明一种半导体存储单元及其阵列结构，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明半导体存储单元包括NMOS管N1、NMOS管N2和存储器件R，其中，N1的漏极连接N2的漏极，形成共用结构，N1的源极和N2的源极都连接源线SL，N1栅极接字线WL1、N2栅极接字线WL2，存储器件R一端接位线BL，另一端接N1、N2漏极连接处；将该存储单元沿横向、纵向重复排列成阵列结构，其中，同一行存储单元共用一条源线SL、共用一条位线BL，同一行上相邻存储单元的相邻NMOS管的源极相连至该行源线SL，同一列

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117615581A

    (43)申请公布日2024.02.27

    (21)申请号202311782146.1G11C11/408(2006.01)

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