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本发明涉及传感器的封装技术领域，具体公开一种传感器的硅硅键合真空封装工艺。本发明的工艺通过在真空条件下对导气槽进行填充密封，解决了硅硅熔融键合无法实现高真空密封的问题。进一步地，本发明采用在所述密封孔中置入焊锡材质的球体，然后加热使所述焊锡材质的球体的表层熔化，并与所述Ti/Au复合层浸润结合的方式解决了密封可靠性差的问题，提升了传感器的耐压强度。本发明的工艺无需使用吸气剂，解决了吸气剂高温失活和清洗活化工艺兼容性差的问题；避免了传统采用吸气剂真空封装方法在高低温冲击后的裂纹、金属颗粒污染等问题
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117602575A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311609406.5
(22)申请日2023.11.29
(71)申请人山东中科思尔科技
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