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本发明提供一种GST层的刻蚀方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的方法包括：积层体形成步骤，在半导体衬底上形成积层体，积层体包括从下至上依次形成的GST层，TiN层，SiN层，SHB层，以及PR层；光刻步骤，对PR层进行曝光显影，形成图案化PR层；第一蚀刻步骤，通过图案化PR层对SHB层进行蚀刻，形成图案化SHB层；第二刻蚀步骤，通过图案化SHB层对SiN层进行蚀刻，形成图案化SiN层；以及第三蚀刻步骤，通过图案化SiN层对TiN层和GST层进行蚀刻，形成图案化TiN层和图案化GST层。通过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117615639A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311340356.5
(22)申请日2023.10.17
(71)申请人北京时代全芯存储技术股份有限公
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