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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极凹槽；在所述栅极凹槽的底部和侧壁上依次形成高k介电层和功函数层；形成蚀刻阻挡层填充所述栅极凹槽，其中，所述蚀刻阻挡层的顶面低于所述高k介电层和所述功函数层的顶面；以所述蚀刻阻挡层为阻挡层刻蚀去除部分所述功函数层，使所述功函数层的顶面和所述蚀刻阻挡层的顶面齐平；去除部分所述高k介电层，使所述高k介电层的顶面与所述功函数层的顶面齐平；去除所述蚀刻阻挡层。本发明的方法实现了对高k介电层的部分去除，使得金属
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110649091A
(43)申请公布日
2020.01.03
(21)申请号20181
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