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本发明公开了一种基于石墨烯‑SiC光栅阵列结构的各向异性耦合调制器，涉及纳米光子学领域，包括，耦合机构，包括，石墨烯单层，具有一定厚度；介质层，铺设于所述石墨烯单层的下部；碳化硅光栅阵列，于所述介质层的下方呈矩形排布；以及，碳化硅衬底，设置于碳化硅光栅阵列的底部。本调制器通过适当调节石墨烯费米能级和入射光偏振角，可提高石墨烯等离激元模式与光栅局域磁共振模式之间的耦合效果，进而实现对入射光振幅的调制以及对共振模式的调控，同时石墨烯单层的费米能级的调节，使得与其产生耦合效应的光栅阵列可降低对入射光角
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117608107A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311765903.4
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人南京邮电大学
地址210003
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