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本发明属于氮化铝单晶生长领域，涉及一种PVT法生长AlN过程中实现双位生长的方法。通过在坩埚顶部和料面上同时设置籽晶，实现了在单个坩埚内同时生长双晶锭的技术突破，提高了晶体的制备效率；能够降低坩埚顶部籽晶二表面的过饱和度，同时由于料面上自发成核的晶粒生长的结晶质量很高，并且是镜面生长表面，在料面上放置的籽晶一依然能够延续镜面生长，这种放置两个籽晶的方式能够实现双向的促进，使料面处的籽晶生长出镜面，并且降低坩埚顶部沉积面籽晶处的AlN蒸气过饱和度，抑制多晶的产生。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117604622A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311591227.3
(22)申请日2023.11.27
(71)申请人山东大学
地址250100
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