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本发明涉及一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制备方法，属于溅射镀膜技术领域。该复合清洗剂按照重量百分比计包括：改性去污剂8.2‑13.5wt％、复合表面活性剂30‑45wt％、聚醚消泡剂0.9‑1.2wt％和异丙醇25‑35wt％，余量为高纯水；在清洗过程中，改性去污剂分子中的氮氧结构可与附着在靶材表面的金属基杂质螯合，其分子中部的多支酯结构可与残留的脂化物具有良好的相容性，端部的多支聚醚亲水链形成表面亲水包覆改性，提高杂质的浸润性，易于被清洗脱除，在实际测试中表面出优异的清洗效率及清洁程度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117604533A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311600337.1
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人俄美达（武汉）有限公司
地址4
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