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应用于STT-MRAM的低功耗读写电路研究与设计.pdfVIP

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  • 2024-03-01 发布于江苏
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应用于STT-MRAM的低功耗读写电路研究与设计.pdf

    摘要

    摘要

    自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)作为一种新兴的存储器，凭借其非易失性、

    零静态功耗、近乎于无限的可擦写次数、较高的集成度和与CMOS工艺兼容等优势，使

    其成为下一代片上缓存和通用存储器的候选存储器之一。

    本论文围绕STT-MRAM的读写功耗问题和可靠性问题，从读写电路级和存储架构

    级展开探索与研究。首先针对读电路中最重要的灵敏放大器部分，设计一种工作在近阈

    值电压附近的

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