1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约7.58千字
  • 约 7页
  • 2024-02-29 发布于四川
  • 举报

一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置.pdf

    本发明提供一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置，包括坩埚主体和坩埚顶盖，所述坩埚主体内含空腔，所述空腔内底部收纳有碳化硅粉源，所述坩埚顶盖位于坩埚主体上方封口处，所述坩埚顶盖朝向坩埚主体的一面包括籽晶，所述坩埚主体内侧壁设置有具有导热作用的附加粉源收纳块，所述附加粉源收纳块为具有多孔材料性质的固体石墨容器且其至少有一个面朝向空腔，所述附加粉源收纳块内收纳有单质硅粉源或单质碳粉源。本发明结构简单，可调节坩埚内的气相组分的含量，维持气相中各物质组分的平衡，减少晶体结晶过程中因气相组分分布不均匀

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN114990690A

    (43)申请公布日2022.09.02

    (21)申请号202210765802.6

    (22)申请日2022.06.30

    (71)申请人武汉大学

    地址430072湖

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >