1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种发光二极管外延结构及发光二极管.pdfVIP

  • 8
  • 0
  • 约1.06万字
  • 约 10页
  • 2024-02-29 发布于四川
  • 举报

一种发光二极管外延结构及发光二极管.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。该发光二极管外延结构在多量子阱发光层与第一空穴注入层之间设置有Mg调变层；所述Mg调变层中杂质掺杂的平均浓度为A，所述第一空穴注入层中杂质掺杂的平均浓度为B，所述电子阻挡层中杂质掺杂的平均浓度为C；B＞A＞C，该设定可以产生较佳的电子阻挡效果，从而提高发光二极管光效。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN115132892A

    (43)申请公布日2022.09.30

    (21)申请号202211012734.2H01L33/32(2010.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >