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晶圆刻蚀或沉积及模型获取方法、半导体工艺设备.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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晶圆刻蚀或沉积及模型获取方法、半导体工艺设备.pdf

    本发明实施例公开了一种晶圆刻蚀或沉积及模型获取方法、半导体工艺设备，具体涉及用于多温区静电卡盘或加热基座的各个温度控制区的控温方法，该控温方法结合了温度敏感度和刻蚀副产物或沉积物随温度梯度的扩散分布对于刻蚀或沉积速率的影响，能够更加准确地预测在各个温度控制区的任意目标温度下，晶圆上的各个位置的刻蚀或沉积速率分布数据，或是根据目标刻蚀或沉积速率分布数据，通过调节各个温度控制区的目标温度控制值，以提升晶圆刻蚀或沉积的均一性，或是使晶圆表面得到期望的形貌。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637554A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202410103716.8

    (22)申请日2024.01.24

    (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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