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本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半绝缘碳化硅衬底制备方法及碳化硅衬底。在待加工碳化硅衬底表面以高能量进行氧注入，形成氧沉淀。注入的氧都集中在待加工碳化硅衬底近表面处，使得高温退火处理形成的氧沉淀也都集中在待加工碳化硅衬底的近表面处，避免了现有技术的掺杂工艺中，在碳化硅衬底内产生沉淀物，导致碳化硅衬底中的微管缺陷；以高能量进行氧注入，提升了待加工碳化硅衬底近表面处氧沉淀的浓度，从而提升氧沉淀吸收待加工碳化硅衬底中的杂质的效果，被吸收了杂质的待加工碳化硅衬底成为高纯的本征半绝缘碳化硅衬底，提升
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637449A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311707172.8H01L21/265(2006.01)
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