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- 2024-03-02 发布于四川
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本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种数据存取处理结构、数据存取处理方法及存储器,数据存取处理结构包括:N个存储单元,N为大于等于3的正整数;每一存储单元连接相应的本地数据线,本地数据线用于向存储单元中存储写入数据,或将存储单元的存储数据读出;数据处理模块,输入端连接所有本地数据线,输出端连接数据传输线,且数据传输线连接本地数据线,数据传输线用于传输写入数据和读出数据;数据处理模块被配置为,调整N个存储单元对应的本地数据线所传输的输出电平,以生成与写入数据相同电平的读出数据;通过调整存储1b
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117636950A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202210956139.8
(22)申请日2022.08.10
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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