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一种多波长MicroLED芯片及制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种多波长MicroLED芯片及制备方法.pdf

    本申请涉及一种多波长MicroLED芯片及制备方法，其包括衬底，以及设于衬底上的外延结构，外延结构包括若干个发光单元，发光单元包括朝远离衬底方向依次布置的第一GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、第二GaN层、分布式布拉格反射镜和绝缘层，以及与第二GaN层和第一GaN层分别电连接的第一金属电极和第二金属电极；第一GaN层的表面形成有凸起，以使InGaN/GaN多量子阱有源层呈起伏构造，起伏构造包括至少两个不同坡度以发出不同波长光的区域，每一区域均配置有一第一金属电极；第一GaN层和第

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637956A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311556283.3

    (22)申请日2023.11.21

    (71)申请人武汉大学

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