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一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法.pdf

    本发明公开一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法，属于半导体领域，适用于抗辐射高压体硅与SOI工艺，实现具有无回滞效应的高压GGNMOSESD器件。本发明中，第一N型掺杂区作为耐压区域，其掺杂浓度较低，能够提高器件的击穿电压，器件的触发电压Vt1和维持电压Vh因此提高；第一N型掺杂区的注入位于厚栅氧之前，第一N型掺杂区与多晶栅电极及厚栅氧交叠形成场板结构，交叠部分长度可调，对下方第一N型掺杂区的电场进行调制，控制高压GGNMOS的触发电压Vt1和维持电压Vh；通过控制本发明中第一N

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637812A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311564533.8

    (22)申请日2023.11.22

    (71)申请人中国电子科技集团

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