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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆光刻过程的状态监测方法及系统，方法包括：构建晶圆光刻过程的问题场景，并设置问题场景中的各问题维度；针对各问题维度分别选择维度参数，并设定各维度参数的安全区间；安装针对各维度参数的传感器，并构建传感器网络；获取传感器网络的参数数据，并进行特征提取；构建异常监测模型，对实时参数数据进行监测；根据安全区间和模型输出判断晶圆光刻过程的状态，对异常的维度参数对应的问题维度进行标记。通过本发明，有效解决了现有方案监测范围狭窄、反馈滞后、智能性不足的问题，通过构建全面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117631477A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311802193.8
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人江苏圣创半导体科技有限公司
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