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西格玛凹槽的制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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西格玛凹槽的制造方法.pdf

    本发明公开了一种西格玛凹槽的制造方法，包括：步骤一、进行第一次刻蚀在半导体衬底的选定区域中形成U型凹槽。步骤二、进行第二次刻蚀使凹槽的顶部区域的开口宽度扩大。步骤三、进行对半导体衬底的不同晶面的刻蚀速率不同的第三次刻蚀，使凹槽扩展为剖面呈西格玛型的西格玛凹槽，顶部子凹槽的宽度增加使西格玛凹槽的上侧面向外侧移动并从而使顶点向上移动。本发明能减少西格玛凹槽的侧面顶点到顶部表面之间的间距，从而能提升器件性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637462A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202210959786.4

    (22)申请日2022.08.11

    (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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