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一种单模脊波导大功率半导体激光器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种单模脊波导大功率半导体激光器及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种单模脊波导大功率半导体激光器及其制备方法，包括从下到上依次设置的衬底、N限制层、N波导层、量子肼有源层、P波导层、P限制层、欧姆接触层以及P面金属层，P限制层的表面设置有两个肩部，两个肩部之间设置有脊波导，脊波导分包括扩展区、前后传输放大区与中间窄脊波导滤波区。肩部与脊波导之间形成凹槽，在凹槽内脊波导的两侧设置有深槽，深槽长边侵入脊波导进行滤波，通过本发明提出的深槽结构抑制高阶模式，提升基模纯净度参与激光振荡，并在脊波导前后端传输放大区位置实现有效增益，最后在扩展区实现单模激光器高

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117638645A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202210959898.X

    (22)申请日2022.08.11

    (71)申请人山东华光光电子股份有限公司

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