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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdf

    本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：基体；第一导电类型的漂移层；第二导电类型的阱层；第二导电类型的基极层，基极层和阱层在第二方向上排布，阱层的深度大于基极层的深度；第一沟槽，第一沟槽设置于过渡区，第一沟槽的深度从第一主面朝向第一方向延伸，第一沟槽在第二方向上位于阱层和基极层之间，第一沟槽第二方向的两侧分别与阱层和基极层相接触。由此，通过设置第一沟槽，使第一沟槽位于阱层和基极层之间，这样第一沟槽可以阻挡阱层的第二导电类型掺杂剂朝向基极层扩散，避免在过渡区形成曲面，可以

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637831A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311556350.1

    (22)申请日2023.11.20

    (71)申请人海信家电集团股份有限公司

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