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一种新型结构的硅单晶抛光片.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种新型结构的硅单晶抛光片.pdf

    本发明公开了一种新型结构的硅单晶抛光片，包括Si单晶抛光片、高温热氧化层和低温热氧化层，所述高温热氧化层位于Si单晶抛光片和低温热氧化层之间，所述Si单晶抛光片在APCVD工序长低温热氧化层前，先在LPCVD机台长一层高温热氧化层SiO2，再流片到APCVD工序长一层低温氧化层SiO2；本发明通过Si单晶抛光片、高温热氧化层和低温热氧化层的配合，Si单晶抛光片在APCVD工序长低温热氧化层前，先在LPCVD机台长一层高温热氧化层SiO2，再流片到APCVD工序长一层低温氧化层SiO2，使高温热氧

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117626427A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311557268.0H01L21/56(2006.01)

    (22)申请日

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