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本发明提供了一种通过Sb掺杂缓解柔性CZTSSe吸收层的残余应力的方法,通过在CZTS金属预制层中蒸发Sb薄膜并结合后硒化,实现柔性CZTSSe吸收层的Sb掺杂,从而缓解柔性CZTSSe吸收层的残余应力。通过本发明,可以有效地增加薄膜晶粒尺寸,抑制薄膜内部缺陷的产生,提高薄膜的结晶质量。经过Sb掺杂之后,太阳能电池的内应力从最初的‑3.93GPa减小到‑2.19GPa。得益于内应力的减小,电池的光电转换效率提高了116%。在弯曲性能测试中,经过Sb掺杂的柔性CZTSSe薄膜太阳能电池PCE衰减幅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637913A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311598946.8
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人苏州腾晖光伏技术
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