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基于微透镜浮雕光栅的PCSEL复合芯片及制备方法.pdfVIP

基于微透镜浮雕光栅的PCSEL复合芯片及制备方法.pdf

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    本发明公开了一种基于微透镜浮雕光栅的PCSEL复合芯片及制备方法，其外延结构包括自下而上依次设置的N型电极、N型InP衬底、N型Alx1In1‑x1As下限制层、量子阱有源区、P型AlyIn1‑yAs电子阻挡层、P型Gaz1In1‑z1Asz2P1‑z2功能层、P型Alx2In1‑x2As上限制层、P型InP连接层、微透镜和P型电极；其中，P型GaInAsP功能层上刻蚀二维光子晶体，通过布拉格衍射条件垂直出射单模光束；微透镜上刻蚀一维浮雕光栅，调控出射激光光束的偏振特性。本发明可有效提高了正交偏

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117650429A

    (43)申请公布日2024.03.05

    (21)申请号202311664076.X

    (22)申请日2023.12.06

    (71)申请人北京工业大学

    地址100124

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