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本公开实施例公开了一种阵列结构、半导体结构及其制造方法，其中，所述阵列结构包括：多个存储单元、多条字线及多条位线；其中，每个所述存储单元包括存储结构和位于所述存储结构上方的晶体管；所述晶体管包括柱状栅极、介质层及有源层，所述介质层覆盖所述柱状栅极的侧壁及底面，所述有源层覆盖所述介质层的侧壁，所述有源层的底面电连接所述存储结构；每条所述位线沿第一方向覆盖多个所述有源层的侧壁；每条所述字线沿第二方向延伸，且电连接多个所述柱状栅极的顶面；其中，所述第一方向和第二方向相交且均垂直于所述有源层的侧壁。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117651410A
(43)申请公布日2024.03.05
(21)申请号202210951935.2
(22)申请日2022.08.09
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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