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    第一TFT(9A)包括：氧化物半导体的第一半导体层(17a)、在第一半导体层(17a)上隔着第一栅极绝缘膜(18a)设置的第一栅极电极(19a)、覆盖第一栅极电极(19a)的氧化硅膜的第一层间绝缘膜(20)、以及第一层间绝缘膜(20)上的氮化硅膜的第二层间绝缘膜(21)，在第二层间绝缘膜(21)中形成有贯通孔(M)，贯通孔(M)与第一半导体层(17a)的第一沟道区域(17ac)整体重叠，在从贯通孔(M)露出的第一层间绝缘膜(20)以及贯通孔(M)的周缘部的表面，金属覆盖层(22e)一体地设置。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117651984A

    (43)申请公布日2024.03.05

    (21)申请号202180100785.8(51)Int.Cl.

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